收藏本站
IXTA08N120P
IXTP08N120P
1.2
Fig. 1. Extended Output Characteristics
@ 25oC
0.8
Fig. 2. Output Characteristics
@ 125oC
1.1
V GS = 10V
7V
0.7
V GS = 10V
6V
1.0
0.9
0.6
0.8
0.7
6V
0.5
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
5V
0.4
0.3
0.2
5V
0.1
0.1
0.0
0.0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
33
0
5
10
15
20
25
30
35
40
3.0
V DS - Volts
Fig. 3. R DS(on) Normalized to I D = 0.4A Value
vs. Junction Temperature
2.6
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 0.4A Value
vs. Drain Current
2.6
V GS = 10V
2.4
V GS = 10V
T J = 125oC
2.2
2.2
2
1.8
1.4
I D = 0.8A
I D = 0.4A
1.8
1.6
1.4
1.0
1.2
0.6
0.2
1
0.8
T J = 25oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0.9
0.8
T J - Degrees Centigrade
Fig. 5. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
1.0
0.9
I D - Amperes
Fig. 6. Input Admittance
0.8
0.7
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
T J = 125oC
25oC
- 40oC
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
T C - Degrees Centigrade
? 2008 IXYS CORPORATION, All rights reserved
V GS - Volts
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXTP100N04T2 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220
IXTP10N60PM MOSFET N-CH 600V 5A TO-220
IXTP12N50PM MOSFET N-CH 500V 6A TO-220
IXTP130N065T2 MOSFET N-CH 65V 130A TO-220
IXTP140N055T2 MOSFET N-CH 55V 140A TO-220
IXTP14N60PM MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
IXTP170N075T2 MOSFET N-CH 75V 170A TO-220
IXTP18N60PM MOSFET N-CH TO-220
相关代理商/技术参数
IXTP08N50D2 功能描述:MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP100N04T2 功能描述:MOSFET 100 Amps 40V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP102N15T 功能描述:MOSFET 102 Amps 150V 18 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP10N60P 功能描述:MOSFET 10.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP10N60PM 功能描述:MOSFET 5.0 Amps 600 V 0.74 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP10P15T 功能描述:MOSFET TenchP Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP10P50P 功能描述:MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXTP110N055P 功能描述:MOSFET 110 Amps 55V 0.0135 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube